通信的未来取决于性能 — 带宽、响应度和能源效率。我们的光电探测器通过结构和材料创新，打破了传统的性能权衡。
采用突破性的MUTC设计，我们克服了空穴传输瓶颈，实现了每通道超过200 GHz的带宽，同时保持0.8 A/W的响应度，支持每通道400 Gbit/s及以上的传输速率。
我们的团队在光电器件开发全流程中不断创新，包括外延结构设计、先进III-V族工艺、超高速射频表征和高达300 GHz的宽带封装。凭借多年在III-V族光电二极管设计和制造方面的积累，我们为产品快速迭代和性能突破奠定了坚实基础。
我们提供支持从直流到太赫兹频段信号完整性的高频封装技术。我们的解决方案确保低损耗、宽带宽和优异的热电性能，实现超高速光电器件在实际系统中的可靠集成。
我们开发先进的集成技术，将III-V族材料的性能与硅光子的可扩展性和薄膜铌酸锂(TFLN)的电光效率相结合，实现具有无与伦比的速度和功能的下一代光子芯片。
短距离：每λ 200G/400G
城域网/DCI：ZR、ZR+相干
基于VCSEL的解决方案：
100Gbps (27GHz)，支持200Gbps (45GHz)
太赫兹通信
微波光子学
无损检测
快粼光电站在光子创新的前沿，开发尖端光电探测器解决方案，助力光通信的未来发展。
我们的团队在III-V族半导体、光子集成和先进封装领域拥有深厚的专业知识，致力于实现突破性的性能。
我们与领先的学术机构和行业合作伙伴广泛合作，推动光子技术创新，加速下一代解决方案的开发。
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邮箱：contact@fastphide-lab.com
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